Флеш-память

Поделись знанием:
Это текущая версия страницы, сохранённая Capabletodream (обсуждение | вклад) в 14:39, 22 июля 2016. Вы просматриваете постоянную ссылку на эту версию.

(разн.) ← Предыдущая | Текущая версия (разн.) | Следующая → (разн.)
Перейти к: навигация, поиск
Не следует путать с картами памяти.
Не следует путать с USB-флеш-накопителями.
У этого термина существуют и другие значения, см. Флеш.

Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Энергонезависимая

Флеш-память (англ. flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.

Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объёму, скорости работы и низкому энергопотреблению, флеш-память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации. Серьёзным недостатком данной технологии является ограниченный срок эксплуатации носителей,[1][2] а также чувствительность к электростатическому разряду.

История

Предшественниками технологии флеш-памяти можно считать ультрафиолетово стираемые постоянные запоминающие устройства (EPROM) и электрически стираемые ПЗУ (EEPROM). Эти приборы также имели матрицу транзисторов с плавающим затвором, в которых инжекция электронов в плавающий затвор («запись») осуществлялась созданием большой напряженности электрического поля в тонком диэлектрике. Однако площадь разводки компонентов в матрице резко увеличивалась, если требовалось создать поле обратной напряжённости для снятия электронов с плавающего затвора («стирания»). Поэтому и возникло два класса устройств: в одном случае жертвовали цепями стирания, получая память высокой плотности с однократной записью, а в другом случае делали полнофункциональное устройство с гораздо меньшей ёмкостью.

Соответственно усилия инженеров были направлены на решение проблемы плотности компоновки цепей стирания. Они увенчались успехом изобретением инженера компании Toshiba Фудзио Масуокой в 1984 году. Название «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзио, Сёдзи Ариидзуми, потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния.

В 1988 году Intel выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.

NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference.

Принцип действия[3]

Принцип работы полупроводниковой технологии флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («кармане») полупроводниковой структуры.

Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление инжекции горячих носителей).

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет функцию затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.

Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

  • Floating gate transistor-ru.svg

    Разрез транзистора с плавающим затвором

  • Flash-Programming.svg

    Программирование флеш-памяти

  • Flash erase.svg

    Стирание флеш-памяти

NOR- и NAND-приборы

Различаются методом соединения ячеек в массив и алгоритмами чтения-записи.

Конструкция NOR использует классическую двумерную матрицу проводников, в которой на пересечении строк и столбцов установлено по одной ячейке. При этом проводник строк подключался к стоку транзистора, а столбцов — ко второму затвору. Исток подключался к общей для всех подложке. В такой конструкции было легко считать состояние конкретного транзистора, подав положительное напряжение на один столбец и одну строку.

Конструкция NAND — трёхмерный массив. В основе та же самая матрица, что и в NOR, но вместо одного транзистора в каждом пересечении устанавливается столбец из последовательно включенных ячеек. В такой конструкции получается много затворных цепей в одном пересечении. Плотность компоновки можно резко увеличить (ведь к одной ячейке в столбце подходит только один проводник затвора), однако алгоритм доступа к ячейкам для чтения и записи заметно усложняется.

Технология NOR позволяет получить быстрый доступ индивидуально к каждой ячейке, однако площадь ячейки велика. Наоборот, NAND имеют малую площадь ячейки, но относительно длительный доступ сразу к большой группе ячеек. Соответственно, различается область применения: NOR используется как непосредственная память программ микропроцессоров и для хранения небольших вспомогательных данных.

Названия NOR и NAND произошли от ассоциации схемы включения ячеек в массив со схемотехникой микросхем КМОП-логики.

Существовали и другие варианты объединения ячеек в массив, но они не прижились.

  • NOR flash layout.svg

    Компоновка шести ячеек NOR flash

  • Nand flash structure.svg

    Структура одного столбца NAND flash

SLC- и MLC-приборы

Различают приборы, в которых элементарная ячейка хранит один бит информации и несколько бит. В однобитовых ячейках различают только два уровня заряда на плавающем затворе. Такие ячейки называют одноуровневыми (single-level cell, SLC). В многобитовых ячейках различают больше уровней заряда; их называют многоуровневыми (multi-level cell, MLC[4][5]). MLC-приборы дешевле и более ёмки, чем SLC-приборы, однако имеют более высокое время доступа и примерно на порядок меньшее максимальное количество перезаписей[6].

Обычно под MLC понимают память с 4 уровнями заряда (2 бита) на каждую ячейку. Более дешевую в пересчете на объём память с 8 уровнями (3 бита) чаще называют TLC (Triple Level Cell)[4][5] или 3bit MLC (MLC-3)[7]. Существуют экспериментальные устройства с 16 уровнями на ячейку (4 бита), 16LC[8] или QLC, однако с уменьшением техпроцесса их массовое производство маловероятно из-за чрезвычайно низкой надежности хранения[9].


Аудиопамять

Естественным развитием идеи MLC-ячеек была мысль записать в ячейку аналоговый сигнал. Наибольшее применение такие аналоговые флеш-микросхемы получили в воспроизведении относительно коротких звуковых фрагментов дешёвых тиражируемых изделиях. Такие микросхемы могут применяться в простейших игрушках, звуковых открытках и т. д.[10]

Многокристальные микросхемы

ЧастоК:Википедия:Статьи без источников (тип: не указан)[источник не указан 3930 дней] в одну микросхему флеш-памяти упаковывается несколько полупроводниковых пластин (кристаллов), до 48 штук[11][12].

Технологические ограничения

Запись и чтение ячеек различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют большой ток при записи для формирования высоких напряжений, тогда как при чтении затраты энергии относительно малы.

Ресурс записи

Изменение заряда сопряжено с накоплением необратимых изменений в структуре и потому количество записей для ячейки флеш-памяти ограничено. Типичные количества циклов стирания-записи составляют от десятков и сотен тысяч до тысячи или менее, в зависимости от типа памяти и технологического процесса. Гарантированный ресурс значительно более низок при хранении нескольких бит в ячейке (MLC и TLC) и при использовании техпроцессов класса «30 нм» и более современных.

Одна из причин деградации — невозможность индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. Дело в том, что запись и стирание производятся над множеством ячеек одновременно — это неотъемлемое свойство технологии флеш-памяти. Автомат записи контролирует достаточность инжекции заряда по референсной ячейке или по средней величине. Постепенно заряд отдельных ячеек рассогласовывается и в некоторый момент выходит за допустимые границы, которые может скомпенсировать инжекцией автомат записи и воспринять устройство чтения. Понятно, что на ресурс влияет степень идентичности ячеек. Одно из следствий этого — с уменьшением топологических норм полупроводниковой технологии создавать идентичные элементы все труднее, поэтому вопрос ресурса записи становится все острее.

Другая причина — взаимная диффузия атомов изолирующих и проводящих областей полупроводниковой структуры, ускоренная градиентом электрического поля в области кармана и периодическими электрическими пробоями изолятора при записи и стирании. Это приводит к размыванию границ и ухудшению качества изолятора, уменьшению времени хранения заряда.

Изначально, в 2000-х годах для 5х нм памяти такой ресурс стираний составлял до 10 тыс. раз для MLC-устройств и до 100 тыс. раз для SLC-устройств, однако с уменьшением техпроцессов количество гарантированных стираний снижалось. Для 3х нм памяти (начало 2010-х годов) обычная 2-битная MLC гарантировала порядка 3-5 тысяч, а SLC — до 50 тысяч.[13] В 2013 отдельные модели гарантировали порядка единиц тысяч циклов для MLC и менее тысячи (несколько сотен) для TLC до начала деградации[14].

Идут исследования экспериментальной технологии восстановления ячейки флеш-памяти путём локального нагрева изолятора затвора до 800°С в течение нескольких миллисекунд.[15]

Срок хранения данных

Изоляция кармана неидеальна, заряд постепенно изменяется. Срок хранения заряда, заявляемый большинством производителей для бытовых изделий, не превышает 10—20 лет,К:Википедия:Статьи без источников (тип: не указан)[источник не указан 3844 дня] хотя гарантия на носители дается не более чем на 5 лет. При этом память MLC имеет меньшие сроки, чем SLC.

Специфические внешние условия, например, повышенные температуры или радиационное облучение (гамма-радиация и частицы высоких энергий), могут катастрофически сократить срок хранения данных.

У современных микросхем NAND при чтении возможно повреждение данных на соседних страницах в пределах блока. Осуществление большого числа (сотни тысяч и более) операций чтения без перезаписи может ускорить возникновение ошибки[16][17].

По данным Dell, длительность хранения данных на SSD, отключенных от питания, сильно зависит от количества прошедших циклов перезаписи (P/E) и от типа флеш-памяти и в худших случаях может составлять 3—6 месяцев[17][18].

Иерархическая структура

Стирание, запись и чтение флеш-памяти всегда происходит относительно крупными блоками разного размера, при этом размер блока стирания всегда больше, чем блок записи, а размер блока записи не меньше, чем размер блока чтения. Собственно это — характерный отличительный признак флеш-памяти по отношению к классической памяти EEPROM.

Как следствие — все микросхемы флеш-памяти имеют ярко выраженную иерархическую структуру. Память разбивается на блоки, блоки состоят из секторов, секторы из страниц. В зависимости от назначения конкретной микросхемы глубина иерархии и размер элементов может меняться.

Например, NAND-микросхема может иметь размер стираемого блока в сотни кбайт, размер страницы записи и чтения — 4 кбайт. Для NOR-микросхем размер стираемого блока варьируется от единиц до сотен кбайт, размер сектора записи — до сотен байт, страницы чтения — единицы—десятки байт.

Скорость чтения и записи

Скорость стирания варьируется от единиц до сотен миллисекунд в зависимости от размера стираемого блока. Скорость записи — десятки-сотни микросекунд.

Обычно скорость чтения для NOR-микросхем нормируется в десятки наносекунд. Для NAND-микросхем скорость чтения составляет десятки микросекунд.

Технологическое масштабирование

Из-за своей высокорегулярной структуры и высокого спроса на большие объёмы техпроцесс при изготовлении флеш-памяти NAND уменьшается более быстро, чем для менее регулярной DRAM-памяти и почти нерегулярной логики (ASIC). Высокая конкуренция между несколькими ведущими производителями лишь ускоряет этот процесс[19]. В варианте закона Мура для логических микросхем удвоение количества транзисторов на единицу площади происходит за три года, тогда как NAND-флеш показывала удвоение за два года. В 2012 году 19 нм техпроцесс был освоен совместным предприятием Toshiba и SanDisk[20]. В ноябре 2012 года[21] Samsung также начала производство по техпроцессу 19 нм (активно используя в маркетинговых материалах фразу «10нм-класс», обозначавшую какой-то процесс из диапазона 10—19 нм)[22][23][24][25].

ITRS или компании 2010 2011 2012 2013 2014 2015* 2016*
ITRS Flash Roadmap 2011[20] 32 нм 22 нм 20 нм 18 нм 16 нм
ITRS Flash Roadmap 2013[26][27] 17 нм 15 нм 14 нм
Samsung[20][27]
Samsung 3D NAND (CTF)[27] 		35-32 нм 27 нм 21 нм (MLC, TLC) 19 nm 19-16 нм
V-NAND (24L) 		12 нм
V-NAND (32L) 		12 нм
Micron, Intel[20][27] 34-25 нм 25 нм 20 нм (MLC + HKMG) 20 нм (TLC) 16 нм 12 нм
3D-NAND 		3D-NAND Gen2
Toshiba, Sandisk[20][27] 43-32 нм 24 нм 19 нм (MLC, TLC) A-19 нм 15 нм 3D NAND BiCS 3D NAND BiCS
SK Hynix[20][27] 46-35 нм 26 нм 20 нм (MLC) 20 нм 16 нм 3D V1 12 нм

Уменьшение техпроцесса позволяло быстро наращивать объёмы чипов памяти NAND-флеш. В 2000 году флеш-память по технологии 180 нм имела объём данных в 512 Мбит на кристалл, в 2005 — 2 Гбит при 90 нм. Затем произошёл переход на MLC, и в 2008 чипы имели объём 8 Гбит (65 нм)[28]. На 2010 год около 35 %—25 % чипов имели размер 16 Гбит, 55 % — 32 Гбит[29]. В 2012—2014 годах в новых продуктах широко использовались кристаллы объёмом 64 Гбит, и начиналось внедрение 128 Гбит модулей (10 % на начало 2014 года), изготовленных по техпроцессам 24—19 нм[28][29].

По мере уменьшения техпроцесса и его приближению к физическим пределам текущих технологий изготовления, в частности, фотолитографии, дальнейшее увеличение плотности данных может быть обеспечено переходом на большее количество бит в ячейке (например, переход с 2-битной MLC на 3-битную TLC), заменой FG-технологии ячеек на CTF технологию или переходом на трёхмерную компоновку ячеек на пластине (3D NAND, V-NAND; однако при этом увеличивается шаг техпроцесса). Например, приблизительно в 2011—2012 годах всеми производителями были внедрены воздушные промежутки между управляющими линиями, позволившие продолжить масштабирование далее 24—26 нм[30][31], а Samsung с 2013—2014 года начала массовый выпуск 24- и 32-слойной 3D NAND[32] на базе CTF технологии[33], в том числе, в варианте с 3-х битными (TLC) ячейками[34]. Проявляющееся с уменьшением техпроцесса уменьшение износостойкости (ресурса стираний), а также увеличение темпа битовых ошибок потребовало применение более сложных механизмов коррекции ошибок и снижения гарантированных объёмов записи и гарантийных сроков[35]. Однако, несмотря на принимаемые меры, вероятно, что возможности дальнейшего масштабирования NAND-памяти будут экономически не оправданы[36][37] или физически невозможны. Исследуется множество возможных замен технологии флеш-памяти, в частности, FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и т. п.[38][39][40]

Особенности применения

Стремление достичь предельных значений ёмкости для NAND-устройств привело к «стандартизации брака» — праву выпускать и продавать микросхемы с некоторым процентом бракованных ячеек и без гарантии непоявления новых «bad-блоков» в процессе эксплуатации. Чтобы минимизировать потери данных, каждая страница памяти снабжается небольшим дополнительным блоком, в котором записывается контрольная сумма, информация для восстановления при одиночных битовых ошибках, информация о сбойных элементах на этой странице и количестве записей на эту страницу.

Сложность алгоритмов чтения и допустимость наличия некоторого количества бракованных ячеек вынудило разработчиков оснастить NAND-микросхемы памяти специфическим командным интерфейсом. Это означает, что нужно сначала подать специальную команду переноса указанной страницы памяти в специальный буфер внутри микросхемы, дождаться окончания этой операции, считать буфер, проверить целостность данных и, при необходимости, попытаться восстановить их.

Слабое место флеш-памяти — количество циклов перезаписи в одной странице. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что стандартные файловые системы — то есть стандартные системы управления файлами для широко распространенных файловых систем — часто записывают данные в одно и то же место. Часто обновляется корневой каталог файловой системы, так что первые секторы памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволит существенно продлить срок работы памяти. Подробнее про задачу равномерного распределения износа[41] см.: Wear leveling (англ.).

Подробнее о проблемах управления NAND-памятью, вызванных разным размером страниц стирания и записи, см.: Write amplification (англ.).

NAND-контроллеры

Для упрощения применения микросхем флеш-памяти NAND-типа они используются совместно со специальными микросхемами — NAND-контроллерами. Эти контроллеры должны выполнять всю черновую работу по обслуживанию NAND-памяти: преобразование интерфейсов и протоколов, виртуализация адресации (с целью обхода сбойных ячеек), проверка и восстановление данных при чтении, забота о разном размере блоков стирания и записи, забота о периодическом обновлении записанных блоков (есть и такое требование), равномерное распределение нагрузки на секторы при записи (Wear leveling).

Однако задача равномерного распределения износа не обязательна, поэтому в самых дешевых изделиях ради экономии могут устанавливаться наиболее простые контроллеры. Такие флеш-карты памяти и USB-брелоки быстро выйдут из строя при частой перезаписи, или при использовании файловой системы, отличной от той, на которую рассчитан контроллер. При необходимости очень частой записи данных на флешки предпочтительно не изменять штатную файловую систему и использовать дорогие изделия с более износостойкой памятью (MLC вместо TLC, SLC вместо MLC) и качественными контроллерами.

На дорогие NAND-контроллеры также может возлагаться задача «ускорения» микросхем флеш-памяти путём распределения данных одного файла по нескольким микросхемам. Время записи и чтения файла при этом сильно уменьшается.

Подробнее по этой теме см. en:Flash memory controller.

Специальные файловые системы

Зачастую во встраиваемых применениях флеш-память может подключаться к устройству напрямую — без контроллера. В этом случае задачи контроллера должен выполнять программный NAND-драйвер в операционной системе. Чтобы не выполнять избыточную работу по равномерному распределению записи по страницам, стараются эксплуатировать такие носители со специальными файловыми системами: JFFS2[42] и YAFFS[43] для Linux и др.

См. также: TRIM

Применение

Существует два основных способа применения флеш-памяти: как мобильный носитель информации и как хранилище программного обеспечения («прошивки») цифровых устройств. Зачастую эти два применения совмещаются в одном устройстве.

При хранении во флеш-память возможно простое обновление прошивок устройств в процессе эксплуатации.

NOR

Применение NOR-флеши, устройства энергонезависимой памяти относительно небольшого объёма, требующие быстрого доступа по случайным адресам и с гарантией отсутствия сбойных элементов:

  • Встраиваемая память программ однокристальных микроконтроллеров. Типовые объёмы — от 1 кбайта до 1 Мбайта.
  • Стандартные микросхемы ПЗУ произвольного доступа для работы вместе с микропроцессором.
  • Специализированные микросхемы начальной загрузки компьютеров (POST и BIOS), процессоров ЦОС и программируемой логики. Типовые объёмы — единицы и десятки мегабайт.
  • Микросхемы хранения среднего размера данных, например, DataFlash. Обычно снабжаются интерфейсом SPI и упаковываются в миниатюрные корпуса. Типовые объёмы — от сотен кбайт до технологического максимума.

Максимальное значение объёмов микросхем NOR — до 256 Мбайт[44].

NAND

Там, где требуются рекордные объёмы памяти — NAND-флеш вне конкуренции. Чипы NAND показывали постоянное повышение объёмов, и на 2012 год NAND имел рекордные объёмы на 8-кристальную микросборку в 128 Гбайт (то есть объём каждого кристалла 16 Гбайт или 128 Гбит)[45].

В первую очередь NAND флеш-память применяется во всевозможных мобильных носителях данных и устройствах, требующих для работы больших объёмов хранения. В основном, это USB-брелоки и карты памяти всех типов, а также мобильные устройства, такие, как телефоны, фотоаппараты, медиаплееры.

Флеш-память типа NAND позволила миниатюризировать и удешевить вычислительные платформы на базе стандартных операционных систем с развитым программным обеспечением. Их стали встраивать во множество бытовых приборов: сотовые телефоны и телевизоры, сетевые маршрутизаторы и точки доступа, медиаплееры и игровые приставки, фоторамки и навигаторы.

Высокая скорость чтения делает NAND-память привлекательной для кэширования винчестеров. При этом часто используемые данные операционная система хранит на относительно небольшом твердотельном устройстве, а данные общего назначения записывает на дисковый накопитель большого объёма[46]. Также возможно объединение флеш-буфера на 4—8 ГБ и магнитного диска в едином устройстве, гибридном жёстком диске (SSHD, Solid-state hybrid drive).

Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам, NAND-память активно вытесняет из обращения носители других типов. Сначала исчезли дискеты и дисководы гибких магнитных дисков[47], снизилась популярность накопителей на магнитной ленте. Магнитные носители практически полностью вытеснены из мобильных и медиаприменений.

Стандартизацией интерфейсов чипов флеш-памяти типа NAND занимается Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI). Первым стандартом стала спецификация ONFI версии 1.0[48], выпущенная 28 декабря 2006 года, за ней последовали ONFI V2.0, V2.1, V2.2, V2.3, V3.0 (2011)[49]. Группа ONFI поддерживается конкурентами Samsung и Toshiba в производстве NAND-чипов: Intel/Micron Technology и Hynix[50]. Альтернативой стандартам ONFI является спецификация Toggle DDR, выпущенная в 2009 году, и достигшая во второй версии (2010) паритета по скоростям с ONFI V3.0[49]. Часть памяти выпускается со встроенными в единый корпус или на чип контроллерами, например, широко применяется встраиваемая eMMC память, использующая электрический интерфейс, сходный с MMC[51].


Рынок NAND-памяти

Основные производители NAND-флеш-памяти: Micron/Intel, SK Hynix, Toshiba/SanDisk, Samsung. На 2014 год около 35—37 % рынка занимают Toshiba/SanDisk и Samsung. 17 % поставок осуществляет Micron/Intel, ещё 10 — Hynix. Общий объём рынка NAND оценивается примерно в 20—25 млрд долларов США, в год производится от 40 до 60 млрд гигабайт, четверть из которых — встраиваемая eMMC память. В 2013 году память в основном изготавливалась по техпроцессам в диапазоне 20—30 нм, в 2014 году набирала популярность 19 нм память. Менее 2 % рынка занимала память 3D-NAND от Samsung, другие производители планируют производство 3D NAND с середины 2015 года[29].

Лишь менее 5 % NAND-памяти, поставляемой в 2012—2014 годах, имели однобитные ячейки (SLC), 75 % составляла двухбитная память (MLC), и 15-25 % — трехбитная память (TLC, в основном Samsung и Toshiba/SanDisk, с середины 2014—2015 годов также и другие)[29].

Основные производители контроллеров флеш-памяти NAND: Marvell, LSI-SandForce, также производители памяти NAND. Для eMMC контроллеры (eMCP) изготавливают: Samsung, SanDisk, SK Hynix, Tochiba, Micron, Phison, SMI, Skymedi[29].

См. также

Примечания

  1. ↑ Simona Boboila, Peter Desnoyers [static.usenix.org/event/fast10/tech/full_papers/boboila.pdf Write Endurance in Flash Drives: Measurements and Analysis] (англ.) // FAST. — San Jose, California: Northeastern University, 2010.
  2. ↑ Hasso Plattner, Alexander. Zeier. [books.google.ru/books?id=zzlY9glKPfkC In-Memory Data Management: Technology and Applications]. — SpringerLink : Bücher. — Springer, 2012. — С. 45. — 267 с. — ISBN 3-642-29575-4.
  3. ↑ [smithsonianchips.si.edu/ice/cd/MEMORY97/SEC10.PDF Технология флеш-памяти]
  4. ↑ 1 2 Kristian Vättö,[www.anandtech.com/print/5067/understanding-tlc-nand Understanding TLC NAND] // Anandtech, February 23, 2012
  5. ↑ 1 2 [www.ixbt.com/news/all/index.shtml?13/64/42 iXBT.com :: Все новости :: Intel и Micron освоили выпуск 3-битной флэш-памяти типа NAND по нормам 25 нм]
  6. ↑ Dennis Martin. [www.demartek.com/reports_free/demartek_sdchicago2013_dennismartin_solidstatestorage_whatsnew.pdf#page=7 NAND Flash – Endurance]. Demartek, Storage Decisions Conference (11-12 June 2013). — «MLC typical life 10,000 or fewer write cycles  MLC-2: 3,000 – 10,000 write cycles  MLC-3: 300 – 3,000 write cycles»  Проверено 9 января 2015.
  7. ↑ [www.tomshardware.com/news/NAND-128Gb-Mass-Production-3-bit-MLC,21986.html Samsung Mass Producing 128Gb 3-bit MLC NAND Flash] Kevin Parrish // Tom’s Hardware, 11 April 2013
  8. ↑ [nvmw.ucsd.edu/2010/documents/Trinh_Cuong.pdf A 7.8MB/s 64Gb 4-Bit/Cell NAND Flash Memory on 43nm CMOS Technology] // Sandisk, NVMW — UCSD, 11-13 April 2010: «4-Bit/Cell (16LC)»
  9. ↑ [www.extremetech.com/computing/181809-sandisks-collosal-4tb-ssd-does-this-mean-ssds-will-soon-provide-more-storage-than-hard-drives/2 SanDisk’s collosal 4TB SSD: Does this mean SSDs will soon provide more storage than hard drives?] (англ.), ExtremeTech (May 5, 2014). Проверено 9 января 2015. «but no one is even talking about QLC (quad-level cell) NAND — there’s just no way to store voltage at that fine-grained level while retaining enough write cycles to deploy the tech effectively.».
  10. ↑ www.nuvoton.com/NuvotonMOSS/Community/ProductInfo.aspx?tp_GUID=d2589477-840d-4046-9c3a-2e0e457048b3 ISD ChipCorder
  11. ↑ [www.3dnews.ru/934753 Обзор Samsung 850 EVO второй версии: с 48-слойной TLC 3D V-NAND внутри]
  12. ↑ [www.xbitlabs.com/news/memory/display/20120405124852_Mosaid_Creates_World_s_First_512Gb_16_Die_NAND_Flash_Stack.html «Многокристальный модуль флеш-памяти NAND со стеком из 16-ти кристаллов NAND (NAND flash MCP (multi-chip package) with a 16-die NAND stack)»  (англ.)]
  13. ↑ [www.lenovo.com/images/products/system-x/pdfs/white-papers/XSW03082USEN.PDF Comparison of NAND Flash Technologies Used in SolidState Storage], IBM 2010 «Table 1. Endurance performance for various technology nodes»
  14. ↑ www.altec-cs.com/downloads/altec_white_paper/WP_Avoiding_premature_failures_of_NAND_Flash_memory_for_duplex-printing_e10.pdf «Resulting from the continuous reduction of the structure size of the flash memory chips, 2-bit MLC and 3-bit MLC (TLC) NAND flash memory …sometimes only allows 1,000 P/E cycles (MLC) and/or only a few hundred P/E cycles (TLC) per flash memory cell before degradation»; «Table 1: Typical P/E cycles …»
  15. ↑ [spectrum.ieee.org/semiconductors/memory/flash-memory-survives-100-million-cycles Flash Memory Survives 100 Million Cycles — IEEE Spectrum]
  16. ↑ [download.micron.com/pdf/technotes/nand/tn2917.pdf Design and Use Considerations for NAND Flash memory]
  17. ↑ 1 2 [www.micron.com/-/media/documents/products/presentation/winhec_cooke.pdf Flash Memory Technology Direction], Jim Cooke, 2007 Reducing Read Disturb ""«Rule of thumb for excessive reads per block between ERASE operations: SLC — 1,000,000 READ cycles; MLC — 100,000 READ cycles»
  18. ↑ [www.dell.com/downloads/global/products/pvaul/en/solid-state-drive-faq-us.pdf Solid State Drive (SSD) FAQ] // Dell: «6. I have unplugged my SSD drive and put it into storage. How long can I expect the drive to retain my data without needing to plug the drive back in? … In MLC and SLC, this can be as low as 3 months and best case can be more than 10 years»
  19. ↑ Kawamatus, Tatsuya [techon.nikkeibp.co.jp/NEA/solutions/0808002.pdf TECHNOLOGY FOR MANAGING NAND FLASH]. Hagiwara sys-com co., LTD. Проверено 1 августа 2011.
  20. ↑ 1 2 3 4 5 6 [www.techinsights.com/uploadedFiles/Public_Website/Content_-_Primary/Marketing/2013/Nand_Flash_Roadmap/NAND-Flash-Roadmap.ppt Technology Roadmap for NAND Flash Memory]. techinsights (April 2013). Проверено 9 января 2015.
  21. ↑ Clarke, Peter (20 November 2012). [www.eetimes.com/design/memory-design/4401791/Samsung-takes-NAND-memory-below-20-nm «Samsung takes NAND memory below 20-nm»] eetimes.com. Retrieved 21 December 2012.
  22. ↑ Anand, Lal Shimpi. [[www.anandtech.com/show/7173/samsung-ssd-840-evo-review-120gb-250gb-500gb-750gb-1tb-models-tested ] Samsung SSD 840 EVO Review: 120GB, 250GB, 500GB, 750GB & 1TB Models Tested], AnandTech (July 25, 2013). Проверено 9 января 2015. «Samsung calls its latest NAND process 10nm-class or 1x-nm, which can refer to feature sizes anywhere from 10nm to 19nm but we’ve also heard it referred to as 19nm TLC.»
  23. ↑ [objective-analysis.com/uploads/2014-07-01_Objective_Analysis_Alert_-_Samsung_Samples_3D_NAND_SSD.pdf Samsung samples 3D NAND SSD]. "ObjectiveAnalysis" (July, 2014). Проверено 9 января 2015.: «.Samsung introduced its 19nm NAND by calling it a „10nm-class“ product. Once again, the press misunderstood and broadcast to the world that Samsung was ahead of all of its competitors»
  24. ↑ [www.pcworld.com/article/2045163/samsungs-840-evo-ssd-family-fast-large-and-in-charge.html Samsung's 840 EVO SSD family: Fast, large, and in charge], PCWorld (7/25/2013). Проверено 9 января 2015.: «the 19nm manufacturing process used to produce the NAND. Samsung for some reason is calling this 10nm-class, or 1x NAND, but they assured us that it’s 19nm.»
  25. ↑ [www.itrs.net/Links/2010ITRS/2010Update/ToPost/ERD_ERM_2010FINALReportMemoryAssessment_ITRS.pdf Assessment of the Potential & Maturity of Selected Emerging Research Memory Technologies] // ITRS 2010
  26. ↑ [www.itrs.net/Links/2013ITRS/2013TableSummaries/2013ORTC_SummaryTable.pdf Table ORTC1 Summary 2013 ORTC Technology Trend Targets] // ITRS из [www.itrs.net/Links/2013ITRS/Home2013.htm ITRS 2013 EDITION]
  27. ↑ 1 2 3 4 5 6 [www.techinsights.com/uploadedFiles/NAND-Flash-Roadmap-2014.ppt Technology Roadmap for NAND Flash Memory]. techinsights (April 2014). Проверено 9 января 2015.
  28. ↑ 1 2 Edward Grochowski, Robert E.Fontana, [www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings/2012/20120821_S102A_Grochowski.pdf Future Technology Challenges For NAND Flash and HDD Products] // Flash Memory Summit, 2012  (англ.): slide 6 «Projected NAND Flash Memory Circuit Density Roadmap»
  29. ↑ 1 2 3 4 5 Sean Yang. [seminar.trendforce.com/Compuforum/2014storage/US/download/01_Sean-Yang(TrendForce)_NAND-Flash-Market-Outlook.pdf#page=10 Supply Dynamics: Limited Growth &Constant Share. Market Share (Production Base)] (англ.). 2014 NAND Flash Market Update. Supply, Demand and Beyond. TrendForce. Проверено 9 января 2015.
  30. ↑ Jeongdong Choe (TechInsights). [www.eetimes.com/author.asp?section_id=36&doc_id=1319041 Comparing Leading-Edge NAND Flash Memories] (англ.), EETimes (25 July 2013). Проверено 11 января 2015. «All the NAND manufacturers adopted an air-gap process to achieve high performance and reliability. Toshiba implemented an air-gap process on its 19nm NAND device, while Samsung adopted it on 21nm. IMFT has used a more mature air-gap process on both the wordline and bitline structure since its 25nm NAND technology.».
  31. ↑ Nirmal Ramaswamy, Thomas Graettinger, (Micron). [www.eetasia.com/STATIC/PDF/201307/EEOL_2013JUL05_STOR_TA_01.pdf?SOURCES=DOWNLOAD NAND flash scaling: 20nm node and below. Here are some of the fundamental cell design issues considered and addressed to arrive at this planar cell technology.] (англ.), EE Times-Asia (5 July 2013). Проверено 11 января 2015. «This had already become a problem at the 25nm node requiring the deployment of airgap between the cells to reduce interference».
  32. ↑ Peter Clarke. [www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1323644 NAND, DRAM 3D-Transition Roadmaps] (англ.), EETimes (25 August 2014). Проверено 11 января 2015.
  33. ↑ Dick James. [www.chipworks.com/en/technical-competitive-analysis/resources/blog/samsung-v-nand-flash/ The Second Shoe Drops – Samsung V-NAND Flash] (англ.), ChipWorks (August 5, 2014). Проверено 11 января 2015.
  34. ↑ Rick Merritt. [www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1323386 Samsung Tips 3-Bit Vertical NAND. Korean giant starts smart storage initiative] (англ.), EETimes (5 August 2014). Проверено 11 января 2015.
  35. ↑ Lal Shimpi, Anand. [www.anandtech.com/show/4043/micron-announces-clearnand-25nm-with-ecc Micron's ClearNAND: 25nm + ECC, Combats Increasing Error Rates], Anandtech (2 December 2010). Проверено 2 декабря 2010.
  36. ↑ Ed Oswald. [www.extremetech.com/computing/118909-current-solid-state-drive-technology-is-doomed-researchers-say Current solid-state drive technology is doomed, says Microsoft Research] (англ.), ExtremeTech (February 20, 2012). Проверено 9 января 2015.
  37. ↑ Grupp, Laura M., John D. Davis,Steven Swanson [cseweb.ucsd.edu/~swanson/papers/FAST2012BleakFlash.pdf The Bleak Future of NAND Flash Memory] // Proceedings of the 10th USENIX conference on File and Storage Technologies. — USENIX Association, 2012.
  38. ↑ Kim Kinam. [ieeexplore.ieee.org/iel5/9193/29143/01314646.pdf?tp=&isnumber=&arnumber=1314646 Future Memory Technology including Emerging New Memories]. — Proceedings of the 24th International Conference on Microelectronics. — P. 377–384.
  39. ↑ Tom Coughlin; Ed Grochowski. [www.snia.org/sites/default/files/Coughlin-Grochowski-Thanks_for_the_Memories.pdf Thanks for the Memories: Emerging Non-Volatile Memory Technologies] (англ.). Coughlin Associates; SNIA 2014 Storage Developer Conference (September 15, 2014). Проверено 9 января 2015.
  40. ↑ [www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4182445/ Overview of emerging nonvolatile memory technologies] // Nanoscale Res Lett. 2014; 9(1): 526. Sep 25, 2014. doi:10.1186/1556-276X-9-526
  41. ↑ [docs.aboutnetapp.ru/FAQ_flash_drive_wear_leveling.pdf Flash Wear-Leveling]
  42. ↑ [www.linuxdevices.com/articles/AT7478621147.html ELJonline:Flash Filesystems for Embedded Linux Systems — Linux For Devices Articles — Linux for Devices]. [archive.is/NH28 Архивировано из первоисточника 5 декабря 2012].
  43. ↑ [www.linuxdevices.com/articles/AT9680239525.html Introducing YAFFS, the first NAND-specific flash file system — News — Linux for Devices]. [archive.is/7QfZ Архивировано из первоисточника 12 сентября 2012].
  44. ↑ [www.micron.com/products/nor-flash/ Micron Technology, Inc. — NOR Flash | Memory and Storage]
  45. ↑ [www.geek.com/articles/chips/sandisk-19nm-128gb-flash-memory-chip-is-worlds-smallest-20120222/ «Из восьми /кристаллов/ можно сформировать чип флеш-памяти на 128 Гб (Eight can be combined to produce … 128GB flash memory chip)»  (англ.)]
  46. ↑ [blogs.msdn.com/tomarcher/archive/2006/04/14/576548.aspx ReadyBoost — Using Your USB Key to Speed Up Windows Vista — Tom Archer’s Blog — Site Home — MSDN Blogs]
  47. ↑ [news.bbc.co.uk/1/hi/uk/2905953.stm R.I.P. Floppy Disk] // BBC NEWS, UK, 1 april 2003
  48. ↑ www.onfi.org/docs/ONFI_1_0_Gold.pdf
  49. ↑ 1 2 [en.chinaflashmarket.com/Uploads/file/2012%20NAND%20Flash%20market%20annual%20report.pdf#page=4 Exhibit 3: NAND Flash interface standards development of different manufactories] (англ.). 2012 NAND Flash market annual report. Industry analysis report. ChinaFlashMarket.com (13 January 2013). Проверено 9 января 2015.
  50. ↑ www.onfi.org/onfimembers.html
  51. ↑ [en.chinaflashmarket.com/Uploads/file/2012%20NAND%20Flash%20market%20annual%20report.pdf#page=6 NAND Flash related product application market] (англ.). 2012 NAND Flash market annual report. Industry analysis report. ChinaFlashMarket.com (13 January 2013). Проверено 9 января 2015.

Ссылки

  • [www.ixbt.com/storage/flash-tech.shtml Технологии флеш-памяти] // iXBT, 2004
  • [rlab.ru/doc/long_live_flash.html Как продлить срок службы накопителям на флеш-памяти] R.LAB
Основные статьи
Типы
CompactFlash (CF, CFast) • Express Card • JEIDA • MultiMedia Card (MMC: RS-MMC, MMCplus, MMCmobile, MMCmicro, eMMC) • Memory Stick (MS, MS-PRO, MS-PRO HG, MS-XC) • miCard • Microdrive (MD) • MiniCard • P2 • PCMCIA (PC Card, CardBus, CardBay) • Secure Digital (SDSC, SDHC, SDXC, TransFlash, Eye-Fi) • SmartMedia (SM) • SxS • Universal Flash Storage (UFS) • USB • xD-Picture • XQD


Источник — «http://wiki-org.ru/wiki/index.php?title=Флеш-память&oldid=79748483»