FRAM

Типы компьютерной памяти

Энергозависимая

Современные распространённые типы DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T-RAM Z-RAM TTRAM Устаревшие типы Память на линиях задержки Запоминающая электростатическая трубка (англ.) Запоминающая ЭЛТ

Энергонезависимая

ПЗУ PROM EPROM EEPROM Флеш-память Первые разработки FRAM MRAM PRAM Перспективные CBRAM SONOS RRAM Беговая память (Racetrack) Nano-RAM Millipede Устаревшие типы Магнитный барабан Память на магнитных сердечниках Память на магнитной проволоке Память на ЦМД Память на твисторах

См. также: Магниторезистивная оперативная память

Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) — оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. FeRAM — одна из растущего числа альтернативных технологий энергонезависимой памяти, предлагающая ту же самую функциональность, что и флеш-память.

История

Первые сведения об использовании сегнетоэлектриков в цифровых запоминающих устройствах относятся к 1970-м годам. В СССР были опубликованы авторское свидетельство 690564 и выпущены микросхемы сегнетоэлектрической памяти серии 307РВ1. Однако сложности использования, в частности, необходимость в высоких напряжениях, не позволили технологии получить широкое распространение.

Разработка современной технологии FeRAM началась в конце 1980-х. В 1991 году проводилась работа в Лаборатории реактивного движения NASA по улучшению методов чтения, включая новый метод неразрушающего чтения при помощи импульсов ультрафиолетового излучения.

Значительная часть нынешней технологии FeRAM была разработана fabless-компанией Ramtron International, специализирующейся в области полупроводниковой промышленности. Одним из главных лицензиатов стала Fujitsu, обладающая по некоторым оценкам крупнейшей базой по производству полупроводников, в том числе производственной линией, подходящей для выпуска FeRAM. С 1999 года они использовали эту линию для выпуска отдельных чипов FeRAM наряду со специализированными чипами (например, чипы для смарт-карт) со встроенной памятью FeRAM. Это прекрасно вписывалось в планы Fujitsu по производству устройств, разработанных компанией Ramtron.

Начиная с 2001 года компания Texas Instruments начинает сотрудничество с Ramtron в области разработки тестовых чипов FeRAM по обновленному процессу в 130 нм. Осенью 2005 года Ramtron объявила, что им удалось значительно улучшить прототипы 8-мегабитных FeRAM-чипов, произведенных с использованием мощностей Texas Instruments. В том же году Fujitsu и Seiko-Epson начали сотрудничество в области разработки 180-нм FeRAM-техпроцесса.

Об исследовательских проектах в области FeRAM заявили Samsung, Matsushita, Oki, Toshiba, Infineon, Hynix, Symetrix, Кембриджский университет, Торонтский университет и Interuniversity Microelectronics Centre (ИМЕК, Бельгия).

Основные вехи: 1984 год — фирма RAMTRON приступила к разработке технологии производства запоминающих устройств FRAM.

1989 год — введена в эксплуатацию первая фабрика для производства FRAM.

1993 год — первый коммерческий продукт (микросхема FRAM с объёмом ЗУ 4 Kбит запущена в серийное производство).

1996 год — налажено производство микросхемы 16 Kбит FRAM.

1998 год — массовое производство FRAM по технологии с топологической нормой 1,0 мкм.

1999 год — массовое производство FRAM по 0,5 мкм технологии, микросхемы FRAM с объёмом памяти 64 Kбит и 256 Kбит.

2000 год — производство 1 Mбит FRAM с ячейкой типа 1T1C, начало производства микросхем FRAM с напряжением питания 3 В.

2001 год — введение технологии производства FRAM с топологической нормой 0,35 мкм.

Описание

Обычная DRAM-память состоит из сетки с маленькими конденсаторами и связанными с ними контактными и сигнальными транзисторами. Каждый элемент хранения информации состоит из одного конденсатора и одного транзистора, подобная схема также называется устройством «1T-1C». Размеры элемента DRAM определяются напрямую размерностью процесса производства полупроводников, используемого при их производстве. Например, согласно 90-нм процессу, используемого большинством производителей памяти при производстве DDR2 DRAM, размер элемента составляет 0.22 μm², что включает в себя конденсатор, транзистор, их соединение, а также некоторое количество пустого пространства между различными частями — как правило, элементы занимают 35 % пространства, оставляя 65 % в качестве пустого пространства.

Данные в DRAM хранятся в виде наличия или отсутствия электрического заряда на конденсаторе, причём отсутствие заряда обозначается как «0». Запись производится путём активации соответствующего управляющего транзистора, позволяющего заряду «стечь» для запоминания «0», или наоборот, пропустить заряд в ячейку, что будет обозначать «1». Считывание происходит весьма схожим образом: транзистор вновь активируется, стекание заряда анализируется усилителем считывания. Если импульс заряда отмечается усилителем, то ячейка содержала заряд и таким образом считывается «1», отсутствие подобного импульса означает «0». Необходимо отметить, что этот процесс деструктивен, то есть ячейка считывается один раз, если она содержала «1», то должна быть перезаряжена для продолжения хранения этого значения. Так как ячейка теряет свой заряд через некоторое время из-за утечек, то через определенные промежутки времени требуется регенерация её содержимого.

Ячейка типа 1T-1C, разработанная для FeRAM, схожа по своему устройству с обоими типами ячеек, широко используемыми в DRAM-памяти, включая структуру, состоящую из одного конденсатора и одного транзистора. В конденсаторе DRAM-ячейки используется линейный диэлектрик, тогда как в конденсаторе FeRAM-ячейки применяется диэлектрическая структура, включающая в себя сегнетоэлектрик, обычно его роль играет пьезокерамика цирконат-титанат свинца (PZT).

Сегнетоэлектрик обладает нелинейной связью между приложенным электрическим полем и хранимым зарядом. В частности, сегнетоэлектрическая характеристика имеет вид петли гистерезиса, который очень схож с в общих чертах с петлей гистерезиса ферромагнитных материалов. Диэлектрическая константа сегнетоэлектрика, как правило, значительно выше, чем у линейного диэлектрика, вследствие эффекта полупостоянных электрических диполей, формируемых в кристаллической структуре сегнетоэлектрического материала. Когда внешнее электрическое поле проникает через диэлектрик, диполи выравниваются по направлению прикладываемого поля, приводя к небольшим смещениям позиций атомов и смещениям прохождения электрического заряда в кристаллической структуре. После удаления заряда диполи сохраняют своё состояние поляризации. Обычно двоичные «0» и «1» хранятся в виде одной из двух возможных электрических поляризаций в каждой ячейке хранения данных. Например, под «1» понимается отрицательный остаток поляризации «-Pr», а под «0» — позитивный остаток поляризации «+Pr».

Функционально FeRAM похожа на DRAM. Запись происходит путём проникновения поля через сегнетоэлектрический слой при заряжании электродов, принуждая атомы внутри принимать ориентацию вверх или вниз (в зависимости от полярности заряда), за счет чего запоминается «1» или «0». Однако принцип чтения отличается от реализации в DRAM. Транзистор переводит ячейку в особое состояние, сообщая «0». Если ячейка уже содержит «0», то на линиях вывода ничего не произойдет. Если ячейка содержала «1», то переориентация атомов в прослойке приведет к короткому импульсу на выходе, так как они вытолкнут электроны из металла на «нижней» стороне. Наличие этого импульса будет означать, что ячейка хранит «1». Так как процесс перезаписывает содержимое ячейки, то чтение из FeRAM — деструктивный процесс, и требует регенерации данных в ячейке в случае их изменения в ходе считывания.

Вообще говоря, функционирование FeRAM весьма напоминает память на магнитных сердечниках — одном из первых видов компьютерной памяти в 1960-х гг. Кроме того, сегнетоэлектрический эффект, используемый в FeRAM, был открыт в 1920 году. Но теперь FeRAM требует намного меньше энергии для изменения состояния полярности (направления), причём выполняет это гораздо быстрее.

Сравнение с другими системами

Среди преимуществ FeRAM перед флэш-памятью:

• низкое энергопотребление;
• быстрая запись информации;
• существенно увеличенное максимальное число (превышающее 10¹⁴ для устройств, рассчитанных на 3,3 В) циклов перезаписи.

К недостаткам FeRAM относят:

• гораздо более низкую плотность размещения информации;
• ограниченную ёмкость накопителей;
• более высокую стоимость.

Ячейки флеш-памяти могут хранить несколько битов на ячейку (на данный момент 3 при высшей плотности для флеш-чипов типа NAND), причём количество бит на флеш-ячейку планируется увеличить до 4 или даже 8, благодаря новым технологиям в области создания флеш-ячеек. Диапазон плотности бит флеш-памяти, как следствие, значительно больше, чем у FeRAM, и таким образом стоимость бита флеш-памяти ниже, чем у FeRAM.

Плотность

Главным определяющим фактором стоимости подсистемы памяти является плотность размещения компонентов. Уменьшение компонентов (или их количества) означает, что большее количество ячеек может уместиться в один чип, что, в свою очередь, означает, что за один раз из одной кремниевой пластины может быть произведено больше. Это повышает доход, что напрямую отражается на стоимости.

Ограничение снизу в этом процессе масштабирования — один из ключевых пунктов сравнения, что характерно для всех технологий вообще, масштабируемых до наименьших размеров ячейки и упирающихся в этот предел, что не позволяет им дальше дешеветь. FeRAM и DRAM схожи по своей конструкции, причём даже могут быть произведены на схожих линиях при схожих размерах. В обоих случаях нижний предел определяется величиной заряда, необходимой триггеру усилителя считывания. Для DRAM это превращается в проблему при 55 нм, так как при таком размере величина заряда, хранимого конденсатором, становится слишком маленькой для обнаружения. Пока неизвестно, может ли FeRAM быть уменьшена до аналогичного размера, так как плотность заряда на PZT-слое может не быть той же самой, что и у металлических электродов в обычном конденсаторе.

Дополнительным ограничением по размеру является то, что материал теряет сегнетоэлектрические свойства при сильном уменьшении размеров. (Этот эффект связан с «деполяризационным полем» сегнетоэлектрика.) На данный момент ведутся исследования, посвященные проблеме стабилизации сегнетоэлектрических материалов; одним из решений, например, является использование молекулярных адсорбатов.

На данный момент коммерческие решения FeRAM производятся по 350-нм и 130-нм процессам. Ранние модели требовали сдвоенных FeRAM-ячеек для хранения одного бита, что являлось причиной очень низкой плотности, но это ограничение впоследствии было преодолено.

Энергопотребление

Ключевым преимуществом FeRAM перед DRAM является то, что происходит между циклами чтения и записи. В DRAM заряд, расположенный на металлических электродах, утекает через изоляционный слой и управляющий транзистор, в результате чего исчезает совсем. Также в DRAM для хранения данных дольше нескольких миллисекунд каждая ячейка должна периодически считываться и перезаписываться, что получило название «регенерации». Каждая ячейка должна обновляться множество раз в секунду (~65 мс), что требует постоянного источника питания.

В отличие от этого, FeRAM требует питание только при реальном считывании или записи в ячейку. Значительная часть энергии, используемой DRAM, тратится на регенерацию, поэтому результаты измерений, на которые ссылаются разработчики TTR-MRAM, здесь также вполне уместны, свидетельствуя об энергопотреблении на 99 % ниже по сравнению с DRAM.

Ещё одним типом энергонезависимой памяти является флеш-память, которая, как и FeRAM, не требует процесса регенерации. Флеш-память работает путём выталкивания электронов через высококачественный изолирующий барьер, где они улавливаются одним из концов транзистора. Этот процесс требует высокого напряжения, которое обеспечивается генератором подкачки заряда. Это означает, что FeRAM по своему устройству потребляет меньше питания, чем флеш-память, по крайней мере, при записи, так как энергопотребление для записи в FeRAM лишь немного выше, чем при чтении. Для устройств, для которых характерно в основном чтение, различия будут и вовсе несущественными, но для устройств с более сбалансированным уровнем чтения/записи разница может быть гораздо значительнее.

Производительность

Производительность DRAM ограничена уровнем, при котором текущий заряд, хранимый в ячейках, может быть «слит» (при чтении) или «накачан» (при записи). В общем случае, это ограничивается возможностями управляющих транзисторов, емкостью линий, подающих питание на ячейки, а также создаваемой температурой.

FeRAM основывается на физическом перемещении атомов при воздействии внешнего поля, что происходит чрезвычайно быстро, занимая примерно 1 нс. В теории это означает, что FeRAM может быть быстрее DRAM. Однако из-за того, что питание должно подаваться в ячейку при чтении и записи, различные задержки, связанные с подачей питания и переключениями, снизят производительность до сравнимого с DRAM уровня. По этой причине можно говорить о том, что FeRAM требует меньший уровень заряда, чем DRAM, так как чипы DRAM нуждаются в удержании заряда, тогда как FeRAM будет перезаписан, прежде чем заряд будет слит. То есть существует задержка при записи из-за того, что заряд должен пройти через управляющий транзистор, что накладывает свои ограничения.

В сравнении с флеш-памятью преимущества более очевидны. В то время как операции чтения схожи по производительности, для записи используется подкачка заряда, требуя значительное время для «настройки», а аналогичный процесс в FeRAM этого не требует. Флеш-памяти в общем случае требуется примерно 1 мс для записи бита, тогда как даже нынешние чипы FeRAM требуют в 100 раз меньше времени.

С теоретической производительностью FeRAM не все ясно. Существующие 350 нм образцы обладают временем чтения порядка 50—60 нс. Хотя по скорости они сопоставимы с современными чипами DRAM, среди которых можно найти экземпляры с показателями порядка 2 нс, распространенные 350 нм чипы DRAM работают с временем чтения порядка 35 нс, поэтому производительность FeRAM выглядит сравнимой при аналогичном процессе производства.

Продвижение

В 2005 году продажи полупроводников по всему миру составили 235 млрд долл. (согласно оценке Gartner), причём рынок флеш-памяти оценивается в 18,6 млрд долл. (согласно оценке IC Insights). В 2005 году годовые продажи Ramtron International, вероятно, крупнейшего поставщика FeRAM-памяти, составили 32,7 млн долл.

В 2007 году чипы FeRAM производились по нормам 350 нм на фабриках Fujitsu и 130 нм на фабриках Texas Instruments, в то время как флеш-память производится с использованием полупроводников Samsung уже с 30-нм технормами. Флеш-память на данный момент является доминирующей технологией энергонезависимой памяти (NVRAM), и, по всей видимости, такая ситуация будет сохраняться, по крайней мере, до конца десятилетия. Существенно более значительные продажи флеш-памяти, сравнимой с альтернативными чипами NVRAM, обеспечивают значительно большие исследования и разработки.

Осенью 2008 года Ramtron International выпустила первую микросхему FM28V100, объёмом 1 Мбит, положившую начало семейству V-Family.

В конце июля 2009 года компания объявила о выходе новой микросхемы памяти FM28V020 семейства V-Family (объёмом 256 Кбит, логическая организация 32Kx8) с параллельным интерфейсом и шириной шины данных, равной одному байту. Для упаковки выбран стандартный корпус типа SOIC-28, диапазон рабочих температур −40 °C и +85 °C.

В начале 2011 года Ramtron International представлен ещё ряд микросхем с последовательным (FM24W256, FM25W256, 256 Кбит, $2,35 за штуку в партии 10000 штук) и параллельным (FM16W08, 64 Кбит, $1,96; FM18W08, 256 Кбит; $3,48) интерфейсом. Представленное новое семейство W-Family характеризуется на 25—50 % меньшим током в активном режиме и 20-кратным сокращением времени инициализации.

Летом 2011 Texas Instruments выпустила вариант микроконтроллера MSP430 с FRAM-памятью вместо Flash.

В октябре 2012 компания Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) представила микросхему MB85RC256V ёмкостью 256 Кбит. Гарантированная длительность хранения данных 10 лет при температуре 85 градусов Цельсия, количество циклов чтения/записи 1 триллион.

FeRAM продолжает занимать чрезвычайно малую долю общего рынка полупроводников.

Перспективы

Плотность FeRAM может быть поднята за счет улучшения технологии процесса производства FeRAM и структуры ячеек, например, благодаря разработке структур вертикальных конденсаторов (по аналогии с DRAM) для уменьшения области воздействия на ячейку. Однако уменьшение размеров ячейки может привести к тому, что заряд, хранящий данные, станет слишком слабым для обнаружения. В 2005 году Ramtron объявила о значительных продажах продуктов FeRAM в различных секторах рынка, включая (но не ограничиваясь ими) область электронных измерений, транспортного оборудования (например, черные ящики, «умные» подушки безопасности), оборудования для бизнеса и офиса (например, принтеры, RAID-контроллеры), измерительных приборов, медицинского оборудования, промышленных микроконтроллеров, а также RFID-чипов. Другие существующие чипы NVRAM, как, например, MRAM, могут занять своё место в схожих нишах рынка, конкурируя с FeRAM.

Теоретически существует возможность внедрять ячейки FeRAM, используя два дополнительных масочных шага при производстве обычных КМОП-полупроводников. Флеш-память обычно требует девять масок. Это делает возможным, например, интеграцию FeRAM в микроконтроллеры, где более простой процесс снизит стоимость. Однако материалы, используемые при производстве чипов FeRAM, не являются широко используемыми в производстве КМОП-цепей. Как и PZT-сегнетоэлектрический слой, так и благородные материалы, используемые при производстве электродов, вызывают в КМОП процесс окисления и взаимной порчи.

См. также

• MRAM
• nvSRAM
• Racetrack memory
• Память на основе фазового перехода
• Мемристор

Литература

• Угрюмов Е. П. Глава 5. Запоминающие устройства // Цифровая схемотехника. — 3 изд. — БХВ-Петербург, 2010. — 816 с. — ISBN 978-5-9775-0162-0.

Ссылки

• [www.3dnews.ru/cpu/feram-memory/ Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри] — обзорная статья на сайте 3Dnews.ru
• [www.rlocman.ru/review/article.html?di=113273 Особенности применения FRAM микроконтроллеров Texas Instruments] // Журнал РАДИОЛОЦМАН, апрель 2012
• [www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/technical/fram/ What is FRAM?] — обзор FRAM от Fujitsu  (англ.)
• [www.eecg.toronto.edu/~ali/ferro/tutorial.html FeRAM Tutorial] — руководство по FeRAM от кафедры электро и компьютерной инженерии Торонтского Университета  (англ.)

Ресурсы и сообщества

• [www.ramtron-online.cn/ Сообщество, посвященное FRAM (FeRAM) и спонсируемое компанией Ramtron]  (кит.)

Отрывок, характеризующий FRAM

– Слушаю, ваше превосходительство, – сказал Тимохин, улыбкой давая чувствовать, что он понимает желания начальника.
– Ну да, ну да.
Полковой командир отыскал в рядах Долохова и придержал лошадь.
– До первого дела – эполеты, – сказал он ему.
Долохов оглянулся, ничего не сказал и не изменил выражения своего насмешливо улыбающегося рта.
– Ну, вот и хорошо, – продолжал полковой командир. – Людям по чарке водки от меня, – прибавил он, чтобы солдаты слышали. – Благодарю всех! Слава Богу! – И он, обогнав роту, подъехал к другой.
– Что ж, он, право, хороший человек; с ним служить можно, – сказал Тимохин субалтерн офицеру, шедшему подле него.
– Одно слово, червонный!… (полкового командира прозвали червонным королем) – смеясь, сказал субалтерн офицер.
Счастливое расположение духа начальства после смотра перешло и к солдатам. Рота шла весело. Со всех сторон переговаривались солдатские голоса.
– Как же сказывали, Кутузов кривой, об одном глазу?
– А то нет! Вовсе кривой.
– Не… брат, глазастее тебя. Сапоги и подвертки – всё оглядел…
– Как он, братец ты мой, глянет на ноги мне… ну! думаю…
– А другой то австрияк, с ним был, словно мелом вымазан. Как мука, белый. Я чай, как амуницию чистят!
– Что, Федешоу!… сказывал он, что ли, когда стражения начнутся, ты ближе стоял? Говорили всё, в Брунове сам Бунапарте стоит.
– Бунапарте стоит! ишь врет, дура! Чего не знает! Теперь пруссак бунтует. Австрияк его, значит, усмиряет. Как он замирится, тогда и с Бунапартом война откроется. А то, говорит, в Брунове Бунапарте стоит! То то и видно, что дурак. Ты слушай больше.
– Вишь черти квартирьеры! Пятая рота, гляди, уже в деревню заворачивает, они кашу сварят, а мы еще до места не дойдем.
– Дай сухарика то, чорт.
– А табаку то вчера дал? То то, брат. Ну, на, Бог с тобой.
– Хоть бы привал сделали, а то еще верст пять пропрем не емши.
– То то любо было, как немцы нам коляски подавали. Едешь, знай: важно!
– А здесь, братец, народ вовсе оголтелый пошел. Там всё как будто поляк был, всё русской короны; а нынче, брат, сплошной немец пошел.
– Песенники вперед! – послышался крик капитана.
И перед роту с разных рядов выбежало человек двадцать. Барабанщик запевало обернулся лицом к песенникам, и, махнув рукой, затянул протяжную солдатскую песню, начинавшуюся: «Не заря ли, солнышко занималося…» и кончавшуюся словами: «То то, братцы, будет слава нам с Каменскиим отцом…» Песня эта была сложена в Турции и пелась теперь в Австрии, только с тем изменением, что на место «Каменскиим отцом» вставляли слова: «Кутузовым отцом».
Оторвав по солдатски эти последние слова и махнув руками, как будто он бросал что то на землю, барабанщик, сухой и красивый солдат лет сорока, строго оглянул солдат песенников и зажмурился. Потом, убедившись, что все глаза устремлены на него, он как будто осторожно приподнял обеими руками какую то невидимую, драгоценную вещь над головой, подержал ее так несколько секунд и вдруг отчаянно бросил ее:
Ах, вы, сени мои, сени!
«Сени новые мои…», подхватили двадцать голосов, и ложечник, несмотря на тяжесть амуниции, резво выскочил вперед и пошел задом перед ротой, пошевеливая плечами и угрожая кому то ложками. Солдаты, в такт песни размахивая руками, шли просторным шагом, невольно попадая в ногу. Сзади роты послышались звуки колес, похрускиванье рессор и топот лошадей.
Кутузов со свитой возвращался в город. Главнокомандующий дал знак, чтобы люди продолжали итти вольно, и на его лице и на всех лицах его свиты выразилось удовольствие при звуках песни, при виде пляшущего солдата и весело и бойко идущих солдат роты. Во втором ряду, с правого фланга, с которого коляска обгоняла роты, невольно бросался в глаза голубоглазый солдат, Долохов, который особенно бойко и грациозно шел в такт песни и глядел на лица проезжающих с таким выражением, как будто он жалел всех, кто не шел в это время с ротой. Гусарский корнет из свиты Кутузова, передразнивавший полкового командира, отстал от коляски и подъехал к Долохову.
Гусарский корнет Жерков одно время в Петербурге принадлежал к тому буйному обществу, которым руководил Долохов. За границей Жерков встретил Долохова солдатом, но не счел нужным узнать его. Теперь, после разговора Кутузова с разжалованным, он с радостью старого друга обратился к нему:
– Друг сердечный, ты как? – сказал он при звуках песни, ровняя шаг своей лошади с шагом роты.
– Я как? – отвечал холодно Долохов, – как видишь.
Бойкая песня придавала особенное значение тону развязной веселости, с которой говорил Жерков, и умышленной холодности ответов Долохова.
– Ну, как ладишь с начальством? – спросил Жерков.
– Ничего, хорошие люди. Ты как в штаб затесался?
– Прикомандирован, дежурю.
Они помолчали.
«Выпускала сокола да из правого рукава», говорила песня, невольно возбуждая бодрое, веселое чувство. Разговор их, вероятно, был бы другой, ежели бы они говорили не при звуках песни.
– Что правда, австрийцев побили? – спросил Долохов.
– А чорт их знает, говорят.
– Я рад, – отвечал Долохов коротко и ясно, как того требовала песня.
– Что ж, приходи к нам когда вечерком, фараон заложишь, – сказал Жерков.
– Или у вас денег много завелось?
– Приходи.
– Нельзя. Зарок дал. Не пью и не играю, пока не произведут.
– Да что ж, до первого дела…
– Там видно будет.
Опять они помолчали.
– Ты заходи, коли что нужно, все в штабе помогут… – сказал Жерков.
Долохов усмехнулся.
– Ты лучше не беспокойся. Мне что нужно, я просить не стану, сам возьму.
– Да что ж, я так…
– Ну, и я так.
– Прощай.
– Будь здоров…
… и высоко, и далеко,
На родиму сторону…
Жерков тронул шпорами лошадь, которая раза три, горячась, перебила ногами, не зная, с какой начать, справилась и поскакала, обгоняя роту и догоняя коляску, тоже в такт песни.


Возвратившись со смотра, Кутузов, сопутствуемый австрийским генералом, прошел в свой кабинет и, кликнув адъютанта, приказал подать себе некоторые бумаги, относившиеся до состояния приходивших войск, и письма, полученные от эрцгерцога Фердинанда, начальствовавшего передовою армией. Князь Андрей Болконский с требуемыми бумагами вошел в кабинет главнокомандующего. Перед разложенным на столе планом сидели Кутузов и австрийский член гофкригсрата.
– А… – сказал Кутузов, оглядываясь на Болконского, как будто этим словом приглашая адъютанта подождать, и продолжал по французски начатый разговор.
– Я только говорю одно, генерал, – говорил Кутузов с приятным изяществом выражений и интонации, заставлявшим вслушиваться в каждое неторопливо сказанное слово. Видно было, что Кутузов и сам с удовольствием слушал себя. – Я только одно говорю, генерал, что ежели бы дело зависело от моего личного желания, то воля его величества императора Франца давно была бы исполнена. Я давно уже присоединился бы к эрцгерцогу. И верьте моей чести, что для меня лично передать высшее начальство армией более меня сведущему и искусному генералу, какими так обильна Австрия, и сложить с себя всю эту тяжкую ответственность для меня лично было бы отрадой. Но обстоятельства бывают сильнее нас, генерал.
И Кутузов улыбнулся с таким выражением, как будто он говорил: «Вы имеете полное право не верить мне, и даже мне совершенно всё равно, верите ли вы мне или нет, но вы не имеете повода сказать мне это. И в этом то всё дело».
Австрийский генерал имел недовольный вид, но не мог не в том же тоне отвечать Кутузову.
– Напротив, – сказал он ворчливым и сердитым тоном, так противоречившим лестному значению произносимых слов, – напротив, участие вашего превосходительства в общем деле высоко ценится его величеством; но мы полагаем, что настоящее замедление лишает славные русские войска и их главнокомандующих тех лавров, которые они привыкли пожинать в битвах, – закончил он видимо приготовленную фразу.
Кутузов поклонился, не изменяя улыбки.
– А я так убежден и, основываясь на последнем письме, которым почтил меня его высочество эрцгерцог Фердинанд, предполагаю, что австрийские войска, под начальством столь искусного помощника, каков генерал Мак, теперь уже одержали решительную победу и не нуждаются более в нашей помощи, – сказал Кутузов.
Генерал нахмурился. Хотя и не было положительных известий о поражении австрийцев, но было слишком много обстоятельств, подтверждавших общие невыгодные слухи; и потому предположение Кутузова о победе австрийцев было весьма похоже на насмешку. Но Кутузов кротко улыбался, всё с тем же выражением, которое говорило, что он имеет право предполагать это. Действительно, последнее письмо, полученное им из армии Мака, извещало его о победе и о самом выгодном стратегическом положении армии.
– Дай ка сюда это письмо, – сказал Кутузов, обращаясь к князю Андрею. – Вот изволите видеть. – И Кутузов, с насмешливою улыбкой на концах губ, прочел по немецки австрийскому генералу следующее место из письма эрцгерцога Фердинанда: «Wir haben vollkommen zusammengehaltene Krafte, nahe an 70 000 Mann, um den Feind, wenn er den Lech passirte, angreifen und schlagen zu konnen. Wir konnen, da wir Meister von Ulm sind, den Vortheil, auch von beiden Uferien der Donau Meister zu bleiben, nicht verlieren; mithin auch jeden Augenblick, wenn der Feind den Lech nicht passirte, die Donau ubersetzen, uns auf seine Communikations Linie werfen, die Donau unterhalb repassiren und dem Feinde, wenn er sich gegen unsere treue Allirte mit ganzer Macht wenden wollte, seine Absicht alabald vereitelien. Wir werden auf solche Weise den Zeitpunkt, wo die Kaiserlich Ruseische Armee ausgerustet sein wird, muthig entgegenharren, und sodann leicht gemeinschaftlich die Moglichkeit finden, dem Feinde das Schicksal zuzubereiten, so er verdient». [Мы имеем вполне сосредоточенные силы, около 70 000 человек, так что мы можем атаковать и разбить неприятеля в случае переправы его через Лех. Так как мы уже владеем Ульмом, то мы можем удерживать за собою выгоду командования обоими берегами Дуная, стало быть, ежеминутно, в случае если неприятель не перейдет через Лех, переправиться через Дунай, броситься на его коммуникационную линию, ниже перейти обратно Дунай и неприятелю, если он вздумает обратить всю свою силу на наших верных союзников, не дать исполнить его намерение. Таким образом мы будем бодро ожидать времени, когда императорская российская армия совсем изготовится, и затем вместе легко найдем возможность уготовить неприятелю участь, коей он заслуживает».]
Кутузов тяжело вздохнул, окончив этот период, и внимательно и ласково посмотрел на члена гофкригсрата.
– Но вы знаете, ваше превосходительство, мудрое правило, предписывающее предполагать худшее, – сказал австрийский генерал, видимо желая покончить с шутками и приступить к делу.
Он невольно оглянулся на адъютанта.
– Извините, генерал, – перебил его Кутузов и тоже поворотился к князю Андрею. – Вот что, мой любезный, возьми ты все донесения от наших лазутчиков у Козловского. Вот два письма от графа Ностица, вот письмо от его высочества эрцгерцога Фердинанда, вот еще, – сказал он, подавая ему несколько бумаг. – И из всего этого чистенько, на французском языке, составь mеmorandum, записочку, для видимости всех тех известий, которые мы о действиях австрийской армии имели. Ну, так то, и представь его превосходительству.
Князь Андрей наклонил голову в знак того, что понял с первых слов не только то, что было сказано, но и то, что желал бы сказать ему Кутузов. Он собрал бумаги, и, отдав общий поклон, тихо шагая по ковру, вышел в приемную.
Несмотря на то, что еще не много времени прошло с тех пор, как князь Андрей оставил Россию, он много изменился за это время. В выражении его лица, в движениях, в походке почти не было заметно прежнего притворства, усталости и лени; он имел вид человека, не имеющего времени думать о впечатлении, какое он производит на других, и занятого делом приятным и интересным. Лицо его выражало больше довольства собой и окружающими; улыбка и взгляд его были веселее и привлекательнее.
Кутузов, которого он догнал еще в Польше, принял его очень ласково, обещал ему не забывать его, отличал от других адъютантов, брал с собою в Вену и давал более серьезные поручения. Из Вены Кутузов писал своему старому товарищу, отцу князя Андрея:
«Ваш сын, – писал он, – надежду подает быть офицером, из ряду выходящим по своим занятиям, твердости и исполнительности. Я считаю себя счастливым, имея под рукой такого подчиненного».
В штабе Кутузова, между товарищами сослуживцами и вообще в армии князь Андрей, так же как и в петербургском обществе, имел две совершенно противоположные репутации.
Одни, меньшая часть, признавали князя Андрея чем то особенным от себя и от всех других людей, ожидали от него больших успехов, слушали его, восхищались им и подражали ему; и с этими людьми князь Андрей был прост и приятен. Другие, большинство, не любили князя Андрея, считали его надутым, холодным и неприятным человеком. Но с этими людьми князь Андрей умел поставить себя так, что его уважали и даже боялись.
Выйдя в приемную из кабинета Кутузова, князь Андрей с бумагами подошел к товарищу,дежурному адъютанту Козловскому, который с книгой сидел у окна.
– Ну, что, князь? – спросил Козловский.
– Приказано составить записку, почему нейдем вперед.
– А почему?
Князь Андрей пожал плечами.
– Нет известия от Мака? – спросил Козловский.
– Нет.
– Ежели бы правда, что он разбит, так пришло бы известие.
– Вероятно, – сказал князь Андрей и направился к выходной двери; но в то же время навстречу ему, хлопнув дверью, быстро вошел в приемную высокий, очевидно приезжий, австрийский генерал в сюртуке, с повязанною черным платком головой и с орденом Марии Терезии на шее. Князь Андрей остановился.
– Генерал аншеф Кутузов? – быстро проговорил приезжий генерал с резким немецким выговором, оглядываясь на обе стороны и без остановки проходя к двери кабинета.
– Генерал аншеф занят, – сказал Козловский, торопливо подходя к неизвестному генералу и загораживая ему дорогу от двери. – Как прикажете доложить?
Неизвестный генерал презрительно оглянулся сверху вниз на невысокого ростом Козловского, как будто удивляясь, что его могут не знать.
– Генерал аншеф занят, – спокойно повторил Козловский.
Лицо генерала нахмурилось, губы его дернулись и задрожали. Он вынул записную книжку, быстро начертил что то карандашом, вырвал листок, отдал, быстрыми шагами подошел к окну, бросил свое тело на стул и оглянул бывших в комнате, как будто спрашивая: зачем они на него смотрят? Потом генерал поднял голову, вытянул шею, как будто намереваясь что то сказать, но тотчас же, как будто небрежно начиная напевать про себя, произвел странный звук, который тотчас же пресекся. Дверь кабинета отворилась, и на пороге ее показался Кутузов. Генерал с повязанною головой, как будто убегая от опасности, нагнувшись, большими, быстрыми шагами худых ног подошел к Кутузову.
– Vous voyez le malheureux Mack, [Вы видите несчастного Мака.] – проговорил он сорвавшимся голосом.
Лицо Кутузова, стоявшего в дверях кабинета, несколько мгновений оставалось совершенно неподвижно. Потом, как волна, пробежала по его лицу морщина, лоб разгладился; он почтительно наклонил голову, закрыл глаза, молча пропустил мимо себя Мака и сам за собой затворил дверь.
Слух, уже распространенный прежде, о разбитии австрийцев и о сдаче всей армии под Ульмом, оказывался справедливым. Через полчаса уже по разным направлениям были разосланы адъютанты с приказаниями, доказывавшими, что скоро и русские войска, до сих пор бывшие в бездействии, должны будут встретиться с неприятелем.
Князь Андрей был один из тех редких офицеров в штабе, который полагал свой главный интерес в общем ходе военного дела. Увидав Мака и услыхав подробности его погибели, он понял, что половина кампании проиграна, понял всю трудность положения русских войск и живо вообразил себе то, что ожидает армию, и ту роль, которую он должен будет играть в ней.
Невольно он испытывал волнующее радостное чувство при мысли о посрамлении самонадеянной Австрии и о том, что через неделю, может быть, придется ему увидеть и принять участие в столкновении русских с французами, впервые после Суворова.
Но он боялся гения Бонапарта, который мог оказаться сильнее всей храбрости русских войск, и вместе с тем не мог допустить позора для своего героя.
Взволнованный и раздраженный этими мыслями, князь Андрей пошел в свою комнату, чтобы написать отцу, которому он писал каждый день. Он сошелся в коридоре с своим сожителем Несвицким и шутником Жерковым; они, как всегда, чему то смеялись.
– Что ты так мрачен? – спросил Несвицкий, заметив бледное с блестящими глазами лицо князя Андрея.
– Веселиться нечему, – отвечал Болконский.
В то время как князь Андрей сошелся с Несвицким и Жерковым, с другой стороны коридора навстречу им шли Штраух, австрийский генерал, состоявший при штабе Кутузова для наблюдения за продовольствием русской армии, и член гофкригсрата, приехавшие накануне. По широкому коридору было достаточно места, чтобы генералы могли свободно разойтись с тремя офицерами; но Жерков, отталкивая рукой Несвицкого, запыхавшимся голосом проговорил:
– Идут!… идут!… посторонитесь, дорогу! пожалуйста дорогу!
Генералы проходили с видом желания избавиться от утруждающих почестей. На лице шутника Жеркова выразилась вдруг глупая улыбка радости, которой он как будто не мог удержать.
– Ваше превосходительство, – сказал он по немецки, выдвигаясь вперед и обращаясь к австрийскому генералу. – Имею честь поздравить.
Он наклонил голову и неловко, как дети, которые учатся танцовать, стал расшаркиваться то одной, то другой ногой.
Генерал, член гофкригсрата, строго оглянулся на него; не заметив серьезность глупой улыбки, не мог отказать в минутном внимании. Он прищурился, показывая, что слушает.
– Имею честь поздравить, генерал Мак приехал,совсем здоров,только немного тут зашибся, – прибавил он,сияя улыбкой и указывая на свою голову.
Генерал нахмурился, отвернулся и пошел дальше.
– Gott, wie naiv! [Боже мой, как он прост!] – сказал он сердито, отойдя несколько шагов.
Несвицкий с хохотом обнял князя Андрея, но Болконский, еще более побледнев, с злобным выражением в лице, оттолкнул его и обратился к Жеркову. То нервное раздражение, в которое его привели вид Мака, известие об его поражении и мысли о том, что ожидает русскую армию, нашло себе исход в озлоблении на неуместную шутку Жеркова.
– Если вы, милостивый государь, – заговорил он пронзительно с легким дрожанием нижней челюсти, – хотите быть шутом , то я вам в этом не могу воспрепятствовать; но объявляю вам, что если вы осмелитесь другой раз скоморошничать в моем присутствии, то я вас научу, как вести себя.